MT29F2G08ABAEAH4:E TR技术参数_MT29F2G08ABAEAH4:E TR资料_MT29F2G08ABAEAH4:E TR引脚图

当前位置：1kic首页>IC技术参数>MT29F2G08ABAEAH4:E TR的技术资料

MT29F2G08ABAEAH4:E TR

概述

IC FLASH 2GBIT 63VFBGA

厂商

Micron Technology Inc

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,格式 - 存储器:闪存,存储器类型:闪存 - NAND,存储容量:2G（256M x 8）,速度:-,接口:并联,电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V,工作温度:0°C ~ 70°C,封装/外壳:63-VFBGA,供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）

引脚图与功能

暂无MT29F2G08ABAEAH4:E TR的引脚图与功能信息

工作原理

暂无MT29F2G08ABAEAH4:E TR的工作原理信息

替代产品

暂无MT29F2G08ABAEAH4:E TR的替代产品信息

PDF资料

暂无MT29F2G08ABAEAH4:E TR的PDF资料信息

MT29F2G08ABAEAH4:E TR推荐供应商更多

暂无MT29F2G08ABAEAH4:E TR的供应商

IC技术参数

M139A
M13AR
MC78L
MC385
MT06A
M2205
M2207
M-141
MC393
MC39I